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News - Central News:  Samsung präsentiert weltweit erste Universal Flash Storage (UFS) Speicherkarten mit bis zu 256 Gigabyte (GB)

Geschrieben am Donnerstag, dem 07. Juli 2016 von News-Central.de


News-Central Infos PR-Gateway: Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer Speichertechnologie, stellte heute die branchenweit ersten auswechselbaren Speicherkarten vor, die auf dem JEDEC Universal Flash Storage (UFS) 1.0 Card Extension Standard basieren und sich für den Einsatz in hochauflösenden DSLRs, 3D-VR-Kameras, Action Cams und Drohnen eignen. Angeboten werden die neuen UFS-Karten mit Speicherkapazitäten von 256, 128, 64 und 32 gigabyte (GB). Samsung erwartet, dass die UFS-Karten auf dem Markt für externe Speicher eine beträchtliche Leistungssteigerung bewirken und Anwendern wesentlich befriedigerende Multimedia-Erlebnisse ermöglichen.

"Unsere neuen UFS-Karten mit 256GB bescheren von der Digitaltechnik geprägten Verbrauchern ein ideales Benutzererlebnis und sind Vorreiter der Branche, wenn es um die Etablierung der wettbewerbsfähigsten Speicherkartenlösung geht," sagt Jung-bae Lee, Senior Vice President, Memory Product Planning & Application Engineering, Samsung Electronics. "Durch die Markteinführung unseres Angebots an hochleistungsfähigen UFS-Karten mit hoher Speicherkapazität verändern wir das Wachstumsparadigma des Marktes für Speicherkarten, um Leistungsfähigkeit und Benutzerkomfort an erste Stelle zu setzen."

Samsungs neue auswechselbare 256GB UFS-Karte bietet deutlich verbesserte Benutzererlebnisse, speziell im Bereich hochauflösendes 3D Gaming sowie beim Abspielen von Filmen mit hoher Auflösung. Gegenüber typischen microSD-Karten erreicht die 256GB UFS-Karte mit 530 MB/s (Megabyte/s) eine mehr als fünffach höhere sequenzielle Lesegeschwindigkeit. Dieser Wert ist mit der sequenziellen Lesegeschwindigkeit der am weitesten verbreiteten SATA SSDs vergleichbar. Beim Einsatz der 256GB UFS-Karte können Verbraucher einen 5GB großen Spielfilm in Full-HD in etwa 10s lesen. Eine typische UHS-1 microSD-Karte benötigt mit einer sequenziellen Lesegeschwindigkeit von 95MB/s über 50s. Bei einer Lesegeschwindigkeit (Random) von 40.000 IOPS erzielt die 256GB-Karte eine über 20 Mal höhere Lesegeschwindigkeit als eine typische microSD mit etwa 1.800 IOPS.

Beim Schreiben verarbeitet die neue 256GB UFS-Karte 35.000 Random IOPS, was 350 Mal mehr als die 100 IOPS einer typischen microSD-Karte ist und eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von 170MB/s erreicht. Damit verdoppelt sie die Geschwindigkeit der leistungsstärksten microSD-Karten annähernd. Mit diesen wesentlichen Verbesserungen der Leistungsfähigkeit reduziert die neue 256GB UFS-Karte die Zeiten beim Herunterladen von Multimedia-Inhalten, das Laden von Vorschaubildern (Thumbnails) sowie die Buffer-Clearing-Zeit in der Burst-Shooting-Betriebsart beachtlich. Von dieser Eigenschaft können speziell Anwender von DSLR-Kameras profitieren. Um 24 große/extrafeine JPG-Fotos (1.120 megabyte (MB)-äquivalent) mit einer hochwertigen DSLR-Kamera unmittelbar nacheinander aufzunehmen (Reihenaufnahme), benötigt die 256GB UFS-Karte weniger als 7s, verglichen mit einer UHS-1 microSD-Karte, die bei 35MB/s normalerweise etwa 32s braucht.

Um die höchste Leistungsfähigkeit und den energieeffizientesten Datentransport zu erreichen, unterstützt die UFS-Karte mehrere Befehle mit "Command-Queuing"-Funktionen und ermöglicht simultanes Lesen und Schreiben durch Nutzung separater spezieller Pfade, was den Durchsatz verdoppelt.

Als führender Speicheranbieter hat Samsung mit großem Engagement UFS-Lösungen für den Speichermarkt entwickelt. Zugleich hat das Unternehmen Beiträge zur JEDEC-Standardisierung der Spezifikation Universal Flash Storage 2.0 im September 2013 und zum Standard Universal Flash Storage (UFS) 1.0 Card Extension im März 2016 geleistet. Im Anschluss an die Markteinführung des industrieweit ersten 128GB Embedded UFS-Chips im Januar 2015 hat das Unternehmen im Februar 2016 ein 256GB Embedded UFS Memory für High-End-Mobilgeräte vorgestellt. Zu Beginn dieses Monats hat Samsung auch das Zertifizierungsprogramm der Universal Flash Storage Association (UFSA) vervollständigt, das elektrische und funktionelle Spezifikationen für die Kompatibilität einer UFS-Karte evaluiert. Außerdem hat Samsung für seine neuen UFS-Karten die Zulassung als UFSA-zertifizierte UFS-Karten erhalten und darf als erster in der Branche das offizielle UFS-Logo nutzen.
Über Samsung Electronics

Samsung Electronics Co. Ltd. inspiriert Menschen und gestaltet die Zukunft mit transformativen Ideen und Technologien. Das Unternehmen verändert die Welt von Fernsehern, Smartphones, Wearables, Tablets, Kameras, Haushaltgeräten, Druckern, Medizingeräten und Halbleitern sowie LED-Lösungen. Neuigkeiten finden Sie bei Ihrem Besuch im Samsung Newsroom auf news.samsung.com.

Über Samsung Semiconductor Europe

Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung Electronics Co. Ltd. mit Sitz in Eschborn bei Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA (Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory, System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.
Samsung Semiconductor Europe GmbH
Ujeong Jahnke
Kölner Str. 12
65760 Eschborn
+49(0)6196-66-3300
+49(0)6196-66-23525
http://www.samsung.com/semiconductor/

Pressekontakt:
Nymphenburg Consulting GmbH
Kristina Fornell
Prinzregentenstr. 22
80538 München
k.fornell@ny-co.de
+49 89 120 21 26-93
http://www.ny-co.de/

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Zitiert aus der Veröffentlichung des Autors >> PR-Gateway << auf http://www.freie-pressemitteilungen.de. Haftungsausschluss: Freie-PresseMitteilungen.de / dieses News-Portal distanzieren sich von dem Inhalt der News / Pressemitteilung und machen sich den Inhalt nicht zu eigen!


Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer Speichertechnologie, stellte heute die branchenweit ersten auswechselbaren Speicherkarten vor, die auf dem JEDEC Universal Flash Storage (UFS) 1.0 Card Extension Standard basieren und sich für den Einsatz in hochauflösenden DSLRs, 3D-VR-Kameras, Action Cams und Drohnen eignen. Angeboten werden die neuen UFS-Karten mit Speicherkapazitäten von 256, 128, 64 und 32 gigabyte (GB). Samsung erwartet, dass die UFS-Karten auf dem Markt für externe Speicher eine beträchtliche Leistungssteigerung bewirken und Anwendern wesentlich befriedigerende Multimedia-Erlebnisse ermöglichen.

"Unsere neuen UFS-Karten mit 256GB bescheren von der Digitaltechnik geprägten Verbrauchern ein ideales Benutzererlebnis und sind Vorreiter der Branche, wenn es um die Etablierung der wettbewerbsfähigsten Speicherkartenlösung geht," sagt Jung-bae Lee, Senior Vice President, Memory Product Planning & Application Engineering, Samsung Electronics. "Durch die Markteinführung unseres Angebots an hochleistungsfähigen UFS-Karten mit hoher Speicherkapazität verändern wir das Wachstumsparadigma des Marktes für Speicherkarten, um Leistungsfähigkeit und Benutzerkomfort an erste Stelle zu setzen."

Samsungs neue auswechselbare 256GB UFS-Karte bietet deutlich verbesserte Benutzererlebnisse, speziell im Bereich hochauflösendes 3D Gaming sowie beim Abspielen von Filmen mit hoher Auflösung. Gegenüber typischen microSD-Karten erreicht die 256GB UFS-Karte mit 530 MB/s (Megabyte/s) eine mehr als fünffach höhere sequenzielle Lesegeschwindigkeit. Dieser Wert ist mit der sequenziellen Lesegeschwindigkeit der am weitesten verbreiteten SATA SSDs vergleichbar. Beim Einsatz der 256GB UFS-Karte können Verbraucher einen 5GB großen Spielfilm in Full-HD in etwa 10s lesen. Eine typische UHS-1 microSD-Karte benötigt mit einer sequenziellen Lesegeschwindigkeit von 95MB/s über 50s. Bei einer Lesegeschwindigkeit (Random) von 40.000 IOPS erzielt die 256GB-Karte eine über 20 Mal höhere Lesegeschwindigkeit als eine typische microSD mit etwa 1.800 IOPS.

Beim Schreiben verarbeitet die neue 256GB UFS-Karte 35.000 Random IOPS, was 350 Mal mehr als die 100 IOPS einer typischen microSD-Karte ist und eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von 170MB/s erreicht. Damit verdoppelt sie die Geschwindigkeit der leistungsstärksten microSD-Karten annähernd. Mit diesen wesentlichen Verbesserungen der Leistungsfähigkeit reduziert die neue 256GB UFS-Karte die Zeiten beim Herunterladen von Multimedia-Inhalten, das Laden von Vorschaubildern (Thumbnails) sowie die Buffer-Clearing-Zeit in der Burst-Shooting-Betriebsart beachtlich. Von dieser Eigenschaft können speziell Anwender von DSLR-Kameras profitieren. Um 24 große/extrafeine JPG-Fotos (1.120 megabyte (MB)-äquivalent) mit einer hochwertigen DSLR-Kamera unmittelbar nacheinander aufzunehmen (Reihenaufnahme), benötigt die 256GB UFS-Karte weniger als 7s, verglichen mit einer UHS-1 microSD-Karte, die bei 35MB/s normalerweise etwa 32s braucht.

Um die höchste Leistungsfähigkeit und den energieeffizientesten Datentransport zu erreichen, unterstützt die UFS-Karte mehrere Befehle mit "Command-Queuing"-Funktionen und ermöglicht simultanes Lesen und Schreiben durch Nutzung separater spezieller Pfade, was den Durchsatz verdoppelt.

Als führender Speicheranbieter hat Samsung mit großem Engagement UFS-Lösungen für den Speichermarkt entwickelt. Zugleich hat das Unternehmen Beiträge zur JEDEC-Standardisierung der Spezifikation Universal Flash Storage 2.0 im September 2013 und zum Standard Universal Flash Storage (UFS) 1.0 Card Extension im März 2016 geleistet. Im Anschluss an die Markteinführung des industrieweit ersten 128GB Embedded UFS-Chips im Januar 2015 hat das Unternehmen im Februar 2016 ein 256GB Embedded UFS Memory für High-End-Mobilgeräte vorgestellt. Zu Beginn dieses Monats hat Samsung auch das Zertifizierungsprogramm der Universal Flash Storage Association (UFSA) vervollständigt, das elektrische und funktionelle Spezifikationen für die Kompatibilität einer UFS-Karte evaluiert. Außerdem hat Samsung für seine neuen UFS-Karten die Zulassung als UFSA-zertifizierte UFS-Karten erhalten und darf als erster in der Branche das offizielle UFS-Logo nutzen.
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